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手机存储迎来新挑战 3D NAND和UFS或是解决之道

[日期:2017-12-12] 来源:CCTIME飞象网  作者: [字体: ]

  4K、VR、AR、AI、5G……众多新兴技术的交织给智能手机带来更多功能和更畅快体验的同时也带来了新的问题,那就是对手机的存储需求大大提高。

  “目前,手机厂商对于大存储NAND的需求正在快速增长,年增长率达到了42%。原因是,双摄像头需要更多的存储承载手机的拍照像素。同时,4K视频需要更多的存储满足需求。其他一些作业系统支持更多的功能,也需要更多的存储,”Counterpoint资深分析师闫占孟近日在接受飞象网采访时表示。

  他指出,从整体趋势来看,存储向两个方向发展:一个是从2D向3D NAND发展,3D NAND可以承载更多的容量存储,3D NAND市场将于2028年占全球市场比例将近一半。“此外,关于存储速度和读取速度,明年中低手机市场会采用UFS功能,TLC也会拓展到一些终端市场。当然,目前来看,整个存储产品库存供应有限,Counterpoint判断,明年下半年存储供应会比较紧张。”

  在这种紧张的情况下,有哪些方案可以解决呢?Counterpoint研究了两个方向,第一是3D NAND可以保证更多的存储,可以解决存储供应的问题,尤其TLC的3DNAND可以解决存储容量的问题。第二,更多的厂商会应用UFS快速读取的芯片。在闫占孟看来,这两个解决方案可以解决存储供应紧张的问题。有数据显示,截止到今年,NAND的存储能力达到了51GB,预测到2018年第四季度会增长到60GB,增长速度可见迅猛。

  同样洞见此趋势的还有西部数据,在西部数据公司嵌入式和集成解决方案副总裁Christopher Bergey看来,数据量、数据的产生速度、多样化和其带来的价值都持续呈指数级增长和演变,包括大数据、快速数据和个人数据各个方面。全球众多消费者都将在智能手机上体验到这些数据的整合。“而西部数据创新的新型iNAND解决方案推动数据在高度密集的移动应用和体验中繁荣。我们将西部数据业界领先的X3 3D NAND技术、与新款增强的独特应用感知型SmartSLC技术相结合,为客户提供了我们智能的高性能iNAND设备。这些iNAND系列的全新解决方案使得我们能够继续从容应对全球变化多端的移动市场中日益提高的移动数据需求。”

  近日,西部数据宣布推出全新的iNAND®嵌入式闪存盘 (EFD) ,使智能手机用户能够充分发挥当前数据驱动型应用的潜力,提升使用体验。借助西部数据的64层3D NAND技术和先进的UFS与e.MMC接口技术,新型的智能iNAND8521和iNAND7550嵌入式闪存盘能够提供卓越的数据性能和高容量存储。

  据Christopher Bergey介绍,当该产品用于智能手机和轻薄型计算设备中时,他们可以为以数据为中心的大量应用加速,包括增强现实(AR)、高分辨率视频捕捉和丰富的社交媒体体验,当然还有新兴的终端人工智能 (AI) 和物联网 (IoT)体验。

  具体来讲,iNAND 8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计,采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC 技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘,这次的iNAND 8521提供了两倍的顺序写入速度1和高达10倍的随机写入速度2。通过快速并智能响应用户的应用性能需求,它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏,并且快速下载高清电影。此外,当服务提供商向5G网络演进时,iNAND 8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。

  而iNAND 7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备,以满足消费者不断增长的存储需求,同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND 7550嵌入式闪存盘基于e.MMC 5.1规范,是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案,可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能3,更有助于同时加快自身和应用启动的速度。

 

  值得一提的是,iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式闪存盘以西部数据公司旗下的SanDisk品牌销售。十余年来,该系列得到了全球主流智能手机和平板电脑制造商的信任。西部数据公司目前向OEM提供容量为256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550闪存盘的样品。

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